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促进操纵TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代

2012-5-23 14:44:37      点击:

  2012年5月8日,促进操纵TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”提高的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)颁布发表,软件行业巨子美国微软已加盟该协会。

  HMC是接纳三维机关,在逻辑芯片上沿垂直标的目的叠加多个DRAM芯片,然后经由过程TSV毗连布线的手艺。HMC的最大特性是与既有的DRAM比拟,机能能够获得极大的提拔。提拔的缘故原由有二,一是芯片间的布线间隔可以从半导体封装平摊在主板上的传劳力士腕表http://m.wbiao.cn/rolex-watches/统办法的“cm”单元大幅缩小到数十μm~1mm;二是一枚芯片上可以构成1000~数万个TSV,实现芯片间的多点毗连。

  微软之所以参加HMCC,是由于正在思索如何对应很可能会成为个人电脑和计算机机能提拔的“内存瓶颈”成绩。内存瓶颈是指跟着微处理器的机能经由过程多核化不竭提拔,现行架构的DRAM的机能将无法满意处理器的需求。假如不处理这个问题,就欧米茄腕表http://m.wbiao.cn/omega-watches/会发作即便购置计算机新产品,实践机能也得不到响应提拔的状况。与之比拟,假如把基于TSV的HMC应用于计算机的主存储器,数据传输速度就可以提高到现行DRAM的约15倍,因而,不但是微软,微处理器巨子美国英特尔等公司也在主动研讨接纳HMC。

  实在,方案接纳TSV的其实不只是HMC等DRAM产物。按阿玛尼官网http://m.wbiao.cn/armani-watches/照半导体厂商的方案,在此后数年间,从负担电子设备输入功用的CMOS传感器到卖力运算的FPGA和多核处理器,以及掌管产物存储的DRAM和NAND闪存都将接踵导入TSV。假如方案准期停止,TSV将担当起输入、运算、存储等电子设备的主要功能。